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Samsung
Samsung 990 PRO PCIe 4.0 NVMe M.2 SSD 2TB (MZ-V9P2T0BW)
NVMe PCIe 4.0
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Sobre este producto
El Samsung 990 Pro de 2 TB es un SSD NVMe en formato M.2 2280, con interfaz PCIe 4.0 x4 (NVMe 2.0), pensado para juegos y trabajo profesional en PC. Usa memoria Samsung V-NAND TLC y un controlador desarrollado por la propia Samsung.
Samsung informa lectura secuencial de hasta 7450 MB/s y escritura secuencial de hasta 6900 MB/s, con hasta 1.400.000 IOPS de lectura y 1.550.000 IOPS de escritura aleatorias. El SSD tiene 2 GB de caché DRAM LPDDR4, cifrado AES de 256 bits (con TCG/Opal e IEEE1667), control térmico Dynamic Thermal Guard y soporte para el software Samsung Magician, que monitorea la salud de la unidad y actualiza el firmware. La resistencia de escritura informada es de 1200 TBW.
Destacados
• Lectura secuencial de hasta 7450 MB/s y escritura de hasta 6900 MB/s
• PCIe 4.0 x4 y NVMe 2.0 en formato M.2 2280
• 2 GB de caché DRAM LPDDR4 y Samsung V-NAND TLC
• Cifrado AES de 256 bits y software Samsung Magician
Qué viene en la caja
SSD Samsung 990 Pro de 2 TB. Samsung informa que no incluye kit de instalación.
Compatibilidad
computadoras con slot M.2 2280 NVMe; para alcanzar el rendimiento máximo, el sistema debe soportar PCIe 4.0, según Samsung.
Observaciones
Modelo sin disipador de calor (2,3 mm de espesor) y sin kit de instalación. Para el rendimiento máximo, el sistema debe soportar PCIe 4.0. Los valores con "hasta" varían según el hardware y la configuración del sistema.
Ficha técnica
| Versión | NVMe PCIe 4.0 |
|---|---|
| Capacidad | 2 TB (2000 GB) |
| Formato | M.2 2280 (80 × 22 × 2,3 mm; hasta 9 g) |
| Interfaz | PCIe 4.0 x4, NVMe 2.0 |
| Lectura secuencial | hasta 7450 MB/s |
| Escritura secuencial | hasta 6900 MB/s |
| Lectura/escritura aleatoria (4 KB, QD32) | hasta 1.400.000 / 1.550.000 IOPS |
| Lectura/escritura aleatoria (4 KB, QD1) | hasta 22.000 / 80.000 IOPS |
| Memoria | Samsung V-NAND TLC; caché de 2 GB LPDDR4 |
| Controlador | desarrollado por Samsung |
| Cifrado | AES de 256 bits (Class 0), TCG/Opal e IEEE1667 |
| Resistencia | 1200 TBW |
| Consumo | promedio de 6,1 W (máximo de 8,5 W en ráfaga); en reposo, hasta 55 mW |
| Temperatura de operación | 0 a 70 °C |
| Confiabilidad | MTBF de 1,5 millones de horas |
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